技術(shù)編號：6917967
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是緊湊感應(yīng)耦合等離子體(ICP)對III-V族化合物的干法刻蝕系統(tǒng)及刻蝕方法，屬半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備及技術(shù)，特別涉及刻蝕III-V族化合物的氣體成分、配氣及工藝過程。(二)技術(shù)背景隨著集成電路集成度的提高，集成電路的圖形越來越精細(xì)。III-V族化合物半導(dǎo)體由于具有良好的光電特性，在微電子、光電子領(lǐng)域都得到廣泛的應(yīng)用，而能否精細(xì)刻蝕III-V族化合物則成為制約III-V族化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的一個(gè)瓶頸。目前刻蝕III-V族化合物仍大多沿用酸、堿等化學(xué)濕法刻蝕，這...
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