技術(shù)編號(hào):6913964
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。這里所公開的主題一般地涉及高壓高功率半導(dǎo)體的沉積的i殳備,背景技術(shù)通常,雙極功率半導(dǎo)體,例如二極管、晶閘管、GTO和GCT, 是由硅片制成的。在這些硅片經(jīng)過不同的植入、擴(kuò)散、光刻和金屬 化工藝之后,它們被切割成圓形盤片,并且在高電壓阻斷pn結(jié)上磨 出負(fù)斜角或正斜角。這些斜面通常需要用電鈍化層來保護(hù)。當(dāng)前所 使用的現(xiàn)有技術(shù)中的一種鈍化材料是氫化非晶碳(a-C H,也稱為 類金剛石碳DLC),其通常通過等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積 (PECVD)工藝沉積在平行板...
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