技術(shù)編號：6913376
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種晶圓清潔裝置，特別是有關(guān)于一種在晶圓濺 鍍制程前清潔與干燥晶圓表面的晶圓清潔裝置。背景技術(shù)一般而言，晶圓濺鍍膜前的前處理需要兩種制程室以分別完成晶 圓表面水氣去除與清潔的程序。傳統(tǒng)用于去除水氣的制程室中所設(shè)置 的真空加熱器價格昂貴，設(shè)備成本負(fù)擔(dān)沉重。此外，傳統(tǒng)用于清潔晶圓表面的制程室分為感應(yīng)耦合等離子(ICP; Inductively Coupled Plasma) 以及遠(yuǎn)程等離子源(RPS; Remote Plasma Source)兩...
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