技術(shù)編號(hào)：6911672
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種太陽能電池，尤其涉及一種晶體硅(單晶硅 或多晶硅)太陽能電池。背景技術(shù)目前，通常的晶體硅太陽能電池10，如圖1所示，其典型結(jié)構(gòu) 包括正面柵狀金屬電極12、減反射及鈍化層13、 n+型重?fù)诫s層14、 P型輕摻雜晶體硅襯底16、背面電極17，其中，正面柵狀金屬電極 12直接與n+型重?fù)诫s層14連接并形成歐姆接觸；n+型重?fù)诫s層14 是在P型輕摻雜晶體硅襯底16的一個(gè)表面上通過擴(kuò)散、離子注入或 外延等方法形成的，并且，n+型重?fù)诫s層14和p型輕...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。