技術(shù)編號:6910470
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種非揮發(fā)性存儲器編碼的掩模以及方法,特別是涉及一種可以形成高密度非揮發(fā)性存儲器編碼的掩模以及相關(guān)方法。背景技術(shù) 掩模式只讀存儲器(mask read only memory;Mask ROM)為非揮發(fā)性存儲器的一種,在制造過程中,通過編碼掩模(coding mask),將數(shù)據(jù)儲存在集成電路內(nèi),因此數(shù)據(jù)一旦寫入后即無法更改,為低成本,高信賴度及大容量的存儲器,其被廣泛應(yīng)用于各類信息、通訊、消費性電子等電子產(chǎn)品。圖1A為數(shù)據(jù)尚未寫入存儲器前的數(shù)組區(qū)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。