技術(shù)編號(hào):6909772
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明系有關(guān)于一種主動(dòng)式互補(bǔ)金氧半導(dǎo)體像素(activeCMOS pixel)裝置及其制造方法,特別有關(guān)于一種利用閘極感應(yīng)之汲極漏電流(GIDL)來感測(cè)光線之像素裝置,對(duì)于在強(qiáng)光中或微弱光線中之物體有極佳之感測(cè)效果。在E.Fossum,“Image capture circuits in CMOS”,paper#B1,Proceedings of international conference on VLSI-technology,system and ...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。