技術(shù)編號：6906849
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于化學(xué)機(jī)械拋光過程中的拋光墊，具體地說涉及一種表面上具有微孔的拋光墊。背景技術(shù)通常，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一種在半導(dǎo)體裝置加工過程中用來獲得球面的高精度/鏡面拋光方法。按照這種CMP方法，在拋光墊和要拋光的晶片之間提供漿液，目的是對晶片表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕。拋光墊則對經(jīng)腐蝕的晶片進(jìn)行機(jī)械拋光。附圖說明圖1顯示了一種典型的CMP機(jī)示意圖，數(shù)字1表示這種CMP機(jī)。圖2顯示了用CMP機(jī)1進(jìn)行CMP加工的示意圖。CMP方法包括化學(xué)腐蝕反應(yīng)過程和機(jī)械拋...
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