技術(shù)編號：6905760
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造設(shè)備范圍，特別涉及一種用于半導(dǎo)體制造的激光退火設(shè)備及退火工藝。背景技術(shù)隨著器件尺寸不斷縮小，在集成電路制造45nm， 32nm等技術(shù)節(jié)點，要求制 作出超淺的MOS器件源漏區(qū)，也就是提出了超淺結(jié)(Ultra-Shallow Junction) 的要求。為了滿足12〃圓片45nm納米及以下各代器件對超淺PN結(jié)制作的需求， 除了要在超淺的雜質(zhì)摻雜技術(shù)上采取一定的技術(shù)措施之外，在退火以及激活所摻 雜質(zhì)的環(huán)節(jié)，需要對傳統(tǒng)的、主要是基于燈光的快速熱...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。