技術(shù)編號：6905196
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體材料、器件領(lǐng)域，尤其涉及一種制作頂柵氧化鋅納米線場效應(yīng)晶體管的方法。背景技術(shù)Zn0是一種II-VI族直接帶隙的新型多功能化合物半導(dǎo)體材料，被稱為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料。Zn0晶體為纖鋅礦結(jié)構(gòu)，禁帶寬度約為3. 37eV，激子束縛能約為60meV。ZnO具備半導(dǎo)體、光電、壓電、熱電、氣敏和透明導(dǎo)電等特性，在傳感、聲、光、電等諸多領(lǐng)域有著廣闊的潛在應(yīng)用價值。 近年來，對ZnO材料和器件的研究受到廣泛關(guān)注。研究范圍涵蓋了 ZnO體單晶、薄膜...
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