技術(shù)編號：6903927
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及一種存儲器的制備方法，尤其涉及一種相變存儲器的 制備方法。背景技術(shù)相變隨機(jī)存儲器(PCRAM)與目前的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM) 、 W存(FLASH)相比 有明顯的優(yōu)勢其體積小，驅(qū)動電壓低，功耗小，讀寫速度快，非揮發(fā)。相變存儲器不僅是 非揮發(fā)性存儲器，而且有可能制成多機(jī)存儲，并實用于超低溫和高溫環(huán)境，抗輻照、抗震動， 因此不僅將被廣泛應(yīng)用到日常的便攜電子產(chǎn)品，而且在航空航天的領(lǐng)域有巨大的潛在應(yīng)用。 尤其，在便攜式電子產(chǎn)品中其高速、非...
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