技術(shù)編號：6903924
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及半導(dǎo)體器件制作方法及氧化系統(tǒng)。背景技術(shù)氧化層的制作是半導(dǎo)體器件制作過程中的關(guān)鍵流程，氧化層厚度是影響半導(dǎo)體器 件性能的重要因素。隨著技術(shù)發(fā)展，氧化層厚度越來越小，通常處于20 200埃以內(nèi)。 氧化層的制作原理通常為在700 900攝氏度(°C )的工作溫度及700 800托 爾(torr)的壓強下，由晶圓(硅)與氧氣發(fā)生反應(yīng)，形成氧化層。其反應(yīng)式通常為 Si+02 — Si02 伴隨著半導(dǎo)體器件關(guān)鍵尺寸逐漸縮小，氧化層...
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