技術(shù)編號(hào)：6903914
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域，尤其涉及形成MOS晶體管袋形注入?yún)^(qū)的離子注入方法及MOS晶體管的制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件向高密度和小尺寸發(fā)展，金屬_氧化物_半導(dǎo)體(MOS)晶體管是主要的驅(qū)動(dòng)力。而驅(qū)動(dòng)電流和熱載流子注入是MOS晶體管設(shè)計(jì)中最為重要的兩個(gè)參數(shù)。傳統(tǒng)設(shè)計(jì)通過控制柵氧化層、溝道區(qū)域、阱區(qū)域、源/漏延伸區(qū)的摻雜形狀、袋形注入(pocketimplant)區(qū)以及源/漏極注入形狀和熱預(yù)算等等來獲得預(yù)料的性能。 隨著MOS器件的溝道長(zhǎng)度變短，源/...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。