技術編號：6903565
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路材料的制備方法，尤其涉及絕緣體上鍺硅襯底的制備 方法。背景技術硅器件與集成電路技術作為電子工業(yè)的發(fā)展主流已經(jīng)取得了巨大的成功。 然而，隨著集成電路的超高速化的發(fā)展，硅材料的局限性開始顯露。鍺硅新材 料的出現(xiàn)對利用強大而成熟的硅工藝制作超高速集成電路帶來了生機。鍺硅材 料由于禁帶寬度可由鍺含量調(diào)節(jié)、易于與硅工藝兼容以及載流子遷移率高等優(yōu)點，被廣泛用于高頻雙極型晶體管(HBT)、 MOSFET和MODFET的制作， 同時還可以應用在光電子領域...
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