技術(shù)編號(hào)：6903197
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(Power M0SFET)結(jié)構(gòu)及其 制程方法，尤指具有雪崩能量改進(jìn)及可達(dá)淺結(jié)(shallow junction)的功率金屬氧化物半導(dǎo) 體場效晶體管。背景技術(shù)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(Power M0SFET)已被廣泛使用在許多的應(yīng)用 上，例如分離組件、光電子組件、電源控制組件、直流對直流轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等。這些應(yīng)用 需要一個(gè)特殊的崩潰電壓、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)切換速度、和廣大的安全操作區(qū)域。除此之 外，對...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。