技術(shù)編號：6902426
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體地，涉及一種 4吏用相變才才沖牛(phase change material)的多^f立存^f諸單元(multi-bit memory cell)結(jié)構(gòu)及其制造方法，相比于一4立(one-bit)存4諸單元，中可以使各種類型的信息能夠存入一個存儲單元中，從而降低具有 相同容量的芯片尺寸并提高存儲性能。背景技術(shù)由于半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)發(fā)展，在生產(chǎn)大容量和高集成的半導(dǎo)體器 件方面，包括半導(dǎo)體器件的尺寸的總的降低方面已經(jīng)有了發(fā)展...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。