技術(shù)編號：6902327
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有異質(zhì)結(jié)界面的半導(dǎo)體器件。 背景技術(shù)傳統(tǒng)地，已知有日本特開2003-318398中/>開的半導(dǎo)體器 件。根據(jù)該半導(dǎo)體器件，形成N—型多晶硅區(qū)以與N+型碳化硅襯 底上的包括N—型碳化硅外延區(qū)的半導(dǎo)體基體的一個主表面相 接觸。在外延區(qū)和多晶硅區(qū)之間形成異質(zhì)結(jié)界面。與異質(zhì)結(jié)界 面鄰接地，通過柵絕緣膜形成柵電極。將多晶硅區(qū)連接到源電 極，并且在碳化硅村底的下表面上形成漏電極。當(dāng)通過平行地布置多個半導(dǎo)體器件來構(gòu)成電路時，將鄰接 的半導(dǎo)體器件的多...
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