技術(shù)編號：6901864
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件，且尤其涉及一種鰭式場效應(yīng)晶體管(Fin field-effect transistor; FinFET)結(jié)構(gòu)及其制法。背景技術(shù)為了配合集成電路持續(xù)的微縮化，業(yè)界發(fā)展出所謂的鰭式場效應(yīng)晶體管 (FinFET)以獲得更高的驅(qū)動電流與更小的尺寸。圖1與圖2顯示傳統(tǒng)鰭式場 效應(yīng)晶體管的立體圖。鰭狀物4為從襯底2延伸而上的垂直硅鰭，用來形成 源極/漏極區(qū)6與兩者之間的溝道區(qū)(未顯示)。垂直柵極8與鰭狀物4的交叉 處具有溝道區(qū)。雖然圖1與圖2未顯...
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