技術(shù)編號(hào)：6901768
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)通常，GaN基氮化物半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)殡娮悠骷?如，高速開關(guān) 和高輸出器件)諸如藍(lán)/綠光LED(發(fā)光二極管)光學(xué)器件，MESFET (金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和HEMT (高電子遷移率晶體管)。GaN基氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上。 接著作為緩沖層的AlyGal-yN多晶薄膜在低生長(zhǎng)溫度下生長(zhǎng)在藍(lán)寶石 襯底或SiC襯底上。隨后非摻雜GaN層，Si摻雜n-GaN層或這兩種 結(jié)構(gòu)的組合在高溫下生長(zhǎng)在緩沖層上來形成n-G...
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