技術(shù)編號(hào)：6901656
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，特別涉及包括多層互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo) 體器件。背景技術(shù)為了制造包括在半導(dǎo)體襯底上形成的多層互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器 件，已經(jīng)研究了使用稱作低k材料的低介電常數(shù)材料作為降低互連之 間的寄生電容的絕緣中間層。在晶片上大量地形成包括多層互連結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo)體器件，然后通過劃片將其分裂成單獨(dú)的器件，其中在多層互 連結(jié)構(gòu)中采用低介電常數(shù)膜作為絕緣中間層。但是，在劃片工藝中，經(jīng)常在切割部分上制作刻痕。由于刻痕是 應(yīng)力集中的地方，所以易于從刻痕產(chǎn)生裂縫。因此，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。