技術(shù)編號：6901100
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別涉及為了改善高耐壓功率器件IGBT (IGBT Insulated gate bipolar transistor,絕緣柵雙極晶體管)的電特性，通過背面結(jié)構(gòu)的淺化和質(zhì)子的照射量的最優(yōu)化，改善低飽和電壓 (Vce(sat))和補(bǔ)償電壓(Eoff)之間的折衷(tradeoff),謀求具有高耐壓功率器件IGBT的功率半導(dǎo)體裝置的特性的穩(wěn)定性、維持破壞耐量的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)作為電氣鐵路用途的逆變器(inverter)控制、變換器...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。