技術(shù)編號：6900901
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于制造具有所謂的SOI結(jié)構(gòu)的絕緣體上硅(SOI)基 板的方法以及用于制造具有SOI結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的方法，在SOI結(jié)構(gòu)中半導(dǎo)體層設(shè)置于絕緣表面上的。 背景技術(shù)已經(jīng)開發(fā)出了使用在絕緣表面上具有薄的單晶半導(dǎo)體層的稱為絕緣體上硅(以下也稱為SOI)的半導(dǎo)體基板來代替通過將單晶半導(dǎo)體晶錠切成薄 片制造的硅晶片的集成電路。使用SOI基板的集成電路因?yàn)榫w管的漏極與基板之間的寄生電容被減小、且該半導(dǎo)體集成電路的性能得到改進(jìn)而正在 引起人們的注意。作為一...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。