技術(shù)編號：6900629
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于在半導體晶圓等基板上形成進行等離 子蝕刻等的蝕刻處理時使用的蝕刻掩膜的蝕刻掩膜形成方法、 控制程序以及程序存儲介質(zhì)。背景技術(shù)自以往起，在半導體裝置等制造工序中，在半導體晶圓等 的基板上實施等離子蝕刻等蝕刻處理而進行微細電路圖案等的 形成。在這樣的蝕刻處理工序中，通過使用了光致抗蝕劑的光 刻工序來進行蝕刻掩膜的形成。在這樣的光刻工序中，為了適應(yīng)所形成的圖案的微細化， 開發(fā)了各種的技術(shù)。作為其中一種技術(shù)，有所謂雙圖案形成法。 在該雙圖案形成法...
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