技術(shù)編號：6900504
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的設(shè)備，尤其涉及一種用于對除半導(dǎo)體襯底的預(yù)定區(qū)域以外的圖案形成部分進行蝕刻的蝕刻設(shè)備。背景技術(shù)制造半導(dǎo)體器件時，在用作半導(dǎo)體襯底的晶片上形成有多個層(例如多晶硅層、氧化物層、氮化物層、金屬層、等等)。在層上涂有光致抗蝕劑層。通過曝光處理，將光掩模上形成的圖案轉(zhuǎn)印到光致抗蝕劑層上。通過蝕刻處理，就可以在晶片上形成所需的圖案。執(zhí)行完這些處理步驟之后，晶片的邊緣上會殘留有若干個層或光致抗蝕劑。在這種情形下，如果為了進行其它處理而夾...
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