技術編號：6900357
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法，具體地涉及垂直型(vertical-type) 非易失4生務賭器器件(non-volatilememoiydevice)及其制造方法。背景技術隨著對高度M電子裝置的持續(xù)重視，對以更高的it^和更低的功率運行并具 有增大的器件密度的半導^^諸器器件存在持續(xù)的需求。為想'j這一目的，已經發(fā) 展了具有更小尺寸的器件和具有以水平和垂直陣列布置的晶體管單元的多層器件。在一種方法中，平面存儲器單元(例如NAND #^者器單元)形^常規(guī)...
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