技術(shù)編號(hào)：6899488
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及以ArF抗蝕膜等光致抗蝕膜作為掩模對(duì)半導(dǎo)體基板等 被處理體的規(guī)定的膜進(jìn)行等離子體蝕刻的等離子體蝕刻方法、等離子 體蝕刻裝置和用于執(zhí)行等離子體蝕刻方法的存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，相對(duì)于作為被處理基板的半導(dǎo)體晶 片，通過光刻工序形成光致抗蝕圖案，以此為掩模進(jìn)行蝕刻。近年來，半導(dǎo)體器件的微細(xì)化日益推進(jìn)，蝕刻中也越發(fā)要求微細(xì) 加工，與這樣的微細(xì)化相對(duì)應(yīng)，用作掩模的光致抗蝕膜的厚度變薄， 使用的光致抗蝕劑也從KrF光致抗蝕劑(即，利用以K...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。