技術編號：6898973
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及in族氮化物基化合物半導體發(fā)光器件。本文中，III族氮化物基化合物半導體發(fā)光器件包括式為AlxGaylih+yN (x、 y和x+y均不小 于0且不大于1)并且摻雜有任意元素以具有n-型/p-型導電性的半導體。 此外，所述發(fā)光器件還包括其III族元素或IV族元素的一部分被B、 Tl、 P、 As、 Sb或Bi置換的半導體。背景技術III族氮化物基化合物半導體發(fā)光器件通常通過在異質(zhì)襯底上利用 MOVPE進行外延生長形成，此時其膜厚度沿具有所謂"Ga...
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