技術(shù)編號：6898967
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體涉及通過在曝光工藝期間將光刻 膠層暴露于光源的不同強(qiáng)度帶從而在半導(dǎo)體器件中形成圖案的方法。背景技術(shù)為了形成半導(dǎo)體器件，重復(fù)實(shí)施沉積和蝕刻工藝。例如，可實(shí)施沉積 工藝以形成層例如導(dǎo)電層和絕緣層，并且可實(shí)施蝕刻工藝以通過完全或部 分移除沉積層來形成圖案。尤其是隨著半導(dǎo)體器件變得高度集成，圖案中的特征寬度進(jìn)一步變窄， 需要更加細(xì)微的圖案。為此，必須改善圖案化工藝。圖l是示出形成半導(dǎo)體器件圖案的常規(guī)方法的視圖。在待蝕刻層(或目標(biāo)層)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。