技術(shù)編號(hào)：6898832
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及漿料成分以及將這種漿料成分用于在半導(dǎo)體期間制造 期間所沉積的材料層的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的方法，更為具體地， 涉及包括一種或多種用于調(diào)節(jié)不同材料的相對(duì)去除速率的添加劑的漿 料成分，且更為具體地，涉及包括一種或多種用于減小多晶硅相對(duì)于 存在于半導(dǎo)體襯底上的其它材料的去除速率的添加劑。背景技術(shù)隨著高性能半導(dǎo)體器件的需求以及相應(yīng)的增加現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的 集成度的需求，需要使用精細(xì)程度(pitch)的多層互連結(jié)構(gòu)。通常通 過(guò)連續(xù)的絕緣物沉積、構(gòu)圖、蝕刻、...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。