技術(shù)編號：6898709
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo) 件的方法以形卜延生"^置。背景技術(shù)與現(xiàn)有的M0S晶體管相比，超結(jié)結(jié)構(gòu)(super junction structure) 的M0S晶體管(SJ-M0S晶體管)公知為用于實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的元件(例如， 在JP-A-H09-266311中公開了)。這種SJ-M0S晶體1^寺征在于在漂移層區(qū) 域中的重復(fù)pn列(column)結(jié)構(gòu)。提出了多種方法以形成該pn列。在這 些方法中，在襯底中形^^勾槽之后M LP~CVD夕卜延生長溝槽內(nèi)部的方法...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。