技術(shù)編號：6898690
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開通常涉及晶體管器件，以及更具體而言，涉及加固的晶體管。 背景技術(shù)由于浮體效應(yīng)，使用絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo) 體(CMOS)器件通常具有低的漏極到源極擊穿電壓。即使對于其器件體 被電連接至源極的SOI CMOS器件，因為在SOI器件體中的非常大的串 聯(lián)電阻，因此與對應(yīng)的體半導(dǎo)體CMOS器件相比，擊穿電壓仍然是小的。 該SOI CMOS器件的低漏極到源極擊穿電壓嚴(yán)重限制了 SOI COMS技術(shù) 的應(yīng)用?；パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。