技術(shù)編號：6898396
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施方式概括地說涉及半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)。更準(zhǔn)確地說，本發(fā) 明涉及一種適用于等離子體蝕刻的高溫陰極。背景技術(shù)在半導(dǎo)體晶片處理中，特征尺寸和線寬逐漸減小的趨勢誘發(fā)對半導(dǎo)體工件或晶片上的掩模、蝕刻和沉積材料的性能具有更高的精度。在獲得小于1.0微 米的臨界尺寸中等離子體蝕刻是特別重要的。一般地，通過在低壓環(huán)境中向提供在由基座支撐的襯底上方的工作氣體施 加RF功率來完成等離子體蝕刻。最后得到的電場產(chǎn)生一個將工作氣體激發(fā) 成等離子體的反應(yīng)區(qū)域。離子向等離子體...
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