技術(shù)編號：6898348
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括通過接收光可 能會使特性改變的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)作為接收到光后可能會使特性改變的半導(dǎo)體器件，可以列舉出 MOS晶體管及具有浮置柵的非易失性存儲器等。這些半導(dǎo)體器件 尤其是在采用棵芯片等的COG安裝法進行安裝的情況下，通常會 受到光的照射，如果是MOS晶體管的話，會引起其導(dǎo)通/截止的特 性改變，而如果是非易失性存儲器的話，會使注入到其浮置柵極中 的電子丟失。為了防止半導(dǎo)體器件的這種特性的變化，在設(shè)有這些 裝置的區(qū)域...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。