技術(shù)編號(hào)：6898346
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括通過(guò)接收光可 能會(huì)使特性改變的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)作為接收到光后可能會(huì)使特性改變的半導(dǎo)體器件，可以列舉出 MOS晶體管及具有浮置柵的非易失性存儲(chǔ)器等。這些半導(dǎo)體器件 尤其是在采用棵芯片等的COG安裝法進(jìn)行安裝的情況下，通常會(huì) 受到光的照射，如果是MOS晶體管的話，會(huì)引起其導(dǎo)通/截止的特 性改變，而如果是非易失性存儲(chǔ)器的話，會(huì)使注入到其浮置柵極中 的電子丟失。為了防止半導(dǎo)體器件的這種特性的變化，在設(shè)有這些 裝置的區(qū)域...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。