技術(shù)編號：6897663
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及半導(dǎo)體刻蝕方法及刻蝕 系統(tǒng)。背景技術(shù)隨著器件特征尺寸的縮小，對器件制造的精確度要求越來越高。在半 導(dǎo)體制造的過程中，要通過刻蝕從晶片表面去除不需要的材料?？涛g的 要求取決于要制作的特征圖形的類型，如鋁合金連線、多晶硅柵、淺溝 槽隔離區(qū)。由于器件的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因此晶片具有大量需要不同刻蝕參數(shù) 的材料，這就使得刻蝕的精確程度很難控制。同時(shí)，刻蝕又受到氣壓、 電源功率、刻蝕氣體含量、刻蝕氣體在刻蝕腔的氣流分布，以及刻蝕時(shí) 間等諸多外界...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。