技術編號：6897659
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造，具體來說，涉及一種。技術背景在半導體制造工藝中，為在半導體襯底上形成所需形狀的溝槽(Trench), 可以采用刻蝕方法在半導體襯底中刻出所需位置、大小和深度的溝槽。形成 溝槽的方法有很多種， 一般比較常見的方法是圖案化一層掩膜層(比如光刻 膠層或者氮化硅層)，在需要形成溝槽的位置露出掩膜層下面的待刻蝕材料 層，然后以圖案化后保留的掩膜層為掩膜，刻蝕材料層至所需深度，形成溝 槽，最后去除掩膜層。在實際的工藝過程中，掩膜層也可以不止一層，...
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