技術(shù)編號：6897440
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及電子領(lǐng)域，特別涉及制造半導體器件的方法及其半導體器件。背景技術(shù) 異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵極場效應晶體管(HIGFET)是本領(lǐng)域所公知的，并且用于各種應用領(lǐng)域，包括互補數(shù)字電路和增強模式功率放大器電路。一些現(xiàn)有的HIGFET通過在異質(zhì)結(jié)構(gòu)基片上形成3納米的砷化鎵覆蓋層而形成。該異質(zhì)結(jié)構(gòu)基片包括在砷化銦鎵溝道層上的砷化鋁鎵阻擋層，該砷化銦鎵溝道層位于摻雜的半導體層上?，F(xiàn)有技術(shù)的HIGFET的一個問題是在輸出電流中的較大可變性。相應地，需要一種制造半導體器件...
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