技術編號：6897422
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體及其形成方法，更具體地，涉及一種半 導體以及一種形成半導體器件的棚4及的方法，包4舌由高介電常凄t (高K， (high-k))材料制成的柵極絕緣膜。背景技術由于半導體器件的高度集成化以及MOS場效應晶體管 (MOSFET)的形體尺寸減小，棚4及長度和在4冊才及之下形成的溝道 的長度也減小。因此，為了增加柵—及和溝道之間的電容并才是高晶體 管的操作特性，有必要形成薄的柵極絕緣膜。然而，目前代表性地 使用的柵極絕緣膜由硅氧化物膜或硅氮氧化...
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