技術(shù)編號：6897358
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件隔離結(jié)構(gòu)，尤指一種半導(dǎo)體元件隔離結(jié)構(gòu)的 形成方法，用以避免接觸窗蝕刻停止層中產(chǎn)生隙縫，因而可防止后續(xù)形成的 ^姿觸插塞短^各。背景技術(shù)傳統(tǒng)用于隔離半導(dǎo)體元件的場氧化層(field oxide, FOX)結(jié)構(gòu)是由區(qū)域硅 氧化法(local oxidation of silicon, LOCOS)來形成，但利用區(qū)域珪氧化法的隔 離技術(shù)所形成的隔離結(jié)構(gòu)具有場氧化層的水平成長、場摻雜離子的水平擴(kuò) 散、小尺寸場氧化層的薄化效應(yīng)、以及鳥嘴侵蝕等...
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