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氮化硅膜、半導(dǎo)體裝置及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6897254

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置,該半導(dǎo)體裝置包含在應(yīng)變點(diǎn)為700C以下 的襯底上形成的氮化硅膜以及以使用了該氮化硅膜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為 代表的半導(dǎo)體元件和半導(dǎo)體集成電路。背景技術(shù)對(duì)于使用了液晶或場(chǎng)致發(fā)光(簡(jiǎn)稱為EL)元件的顯示裝置,開(kāi)發(fā) 了一種使用場(chǎng)效應(yīng)薄膜晶體管(筒稱為T(mén)FT)在同一快玻璃襯底上一體 形成驅(qū)動(dòng)電路的技術(shù)。在該TFT中,為了實(shí)現(xiàn)實(shí)用的工作頻率,在作 為主要結(jié)構(gòu)部分的活性層(形成溝道部的半導(dǎo)體區(qū))上使用多晶硅膜。 而且,提出了以微處理器為首的利用TFT實(shí)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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