技術(shù)編號(hào)：6897245
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。示例實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。其它的示例實(shí)施例涉及一種電阻隨機(jī) 存取存儲(chǔ)器裝置。背景技術(shù)電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)裝置是在特定的電壓下改變例如過渡金屬 氧化物的材料的電阻的非易失性存儲(chǔ)裝置。當(dāng)將等于或大于設(shè)置電壓(set voltage)的電壓施力。到電阻改變(resistance-changing)材料時(shí)，可以降低電阻改 變材料的電阻，這與ON狀態(tài)對(duì)應(yīng)。當(dāng)將等于或大于重置電壓的電壓施加到 電阻改變材料時(shí)，可以增加電阻改變材料的電阻，這與OFF狀態(tài)對(duì)應(yīng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。