技術編號：6896946
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術中紅外光電探測器領域，尤其涉及一種 GaAs基InAs/GaSb超晶格3至5微米波段紅外光電探測器及其制作方 法。背景技術隨著科學技術的進步，以軍用為核心的紅外探測器逐漸發(fā)展起來， 目前在戰(zhàn)略預警、戰(zhàn)術報警、夜視、制導、通訊、氣象、地球資源探 測、工業(yè)探傷、醫(yī)學、光譜、測溫、大氣監(jiān)測等軍用和民用領域都有 廣泛的應用。但是，目前最常用的硅摻雜探測器、InSb、 QWIP、 MCT等紅外 探測器，都要求在低溫下工作，需要專門的制冷設備，造價...
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