技術(shù)編號(hào):6896920
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于制備單晶藍(lán)寶石支撐的氮化鎵襯底的方法,具體地說(shuō),是關(guān)于單晶藍(lán)寶 石支撐的準(zhǔn)懸浮半導(dǎo)體氮化鎵外延薄膜襯底的制備方法。 背景技術(shù)氮化鎵(GaN)及摻雜GaN是重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在光電子器件如藍(lán)、白光發(fā) 光二極管(LED)及短波長(zhǎng)激光二極管(LD)和功能電子器件等方面有廣泛的應(yīng)用前 景,它牽涉到難以估計(jì)的巨大商業(yè)和軍用市場(chǎng)。目前各國(guó)和大企業(yè)均大力開(kāi)發(fā)以氮化 鎵基半導(dǎo)體薄膜為基礎(chǔ)的器件和應(yīng)用。半導(dǎo)體氮化鎵光電子器件和功能電子器件需要 使用高品質(zhì)的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。