技術(shù)編號：6896527
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及到在高密度集成電路中制作的晶體管。背景技術(shù) 目前，需要一種具有高密度和功能增強(qiáng)的集成電路。為了滿足這個需求，必須減小集成電路中晶體管的尺寸。例如，期望未來制作的集成電路晶體管具有100nm或更小的有效溝道長度。如此小的晶體管常常受到邊緣場和其它短溝道效應(yīng)的不利影響，這些效應(yīng)降低晶體管的性能并削弱對晶體管工作的控制。為了減少短溝道效應(yīng)，通常使用更薄的柵極絕緣層。然而，薄的柵極絕緣層常常引起額外的柵極泄漏電流，柵極泄漏電流使集...
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