技術(shù)編號：6896507
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造III族氮化物系化合物半導(dǎo)體的方法。更具體的說，本發(fā)明涉及一種采用外延橫向附晶生長(epitaxial lateral overgrowth)(ELO)制造III族氮化物系化合物半導(dǎo)體的方法、III族氮化物系化合物半導(dǎo)體器件以及III族氮化物系化合物半導(dǎo)體襯底。III族氮化物系化合物半導(dǎo)體一般由AlxGayIn1-x-yN(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)表示，其示例包括諸如AlN、GaN的二元半導(dǎo)體；諸如AlxGa1-x...
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