技術(shù)編號：6896503
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。 背景技術(shù)在現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件中，可以用多晶硅形成柵極，以減小柵電極電 容并改善電路的開關(guān)特性。 一般是通過將離子注入多晶硅層而形成柵電極。 將離子注入多晶硅層，然后執(zhí)行清潔工序來清潔在進(jìn)行離子注入時所產(chǎn)生的 雜質(zhì)和離子等。并且，在形成了經(jīng)注入雜質(zhì)的多晶硅層后，可再執(zhí)行清潔工 序來清潔在熱處理工序中產(chǎn)生的雜質(zhì)。換句話說，在形成經(jīng)注入雜質(zhì)的多晶 硅層的步驟中可包括離子注入工序和熱處理工序。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例提...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。