技術編號：6896177
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請要求韓國專利申請第10-2007-0048556號(提交于2007 年5月18日)的優(yōu)先權，其全部內容結合于此作為參考。背景技術功率MOS場歲文應晶體管(MOSFET)可具有比乂又才及晶體管更 高的llr入阻抗。因此，功率MOSFET可具有高功率增益和簡單的 才冊才及驅動電i 各。另外，由于功率MOSFET是單才及器件，所以當器 件關閉時，不存在由于少數(shù)載流子積聚或復合引起的時延。這種功 率MOSFET可#1應用于開關才莫式電源、燈穩(wěn)、定系統(tǒng)，以及馬...
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