技術(shù)編號：6896176
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種集成電路，特別是涉及一種形成淺槽(或稱淺溝渠) 隔離區(qū)的結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)現(xiàn)代集成電路是形成在半導(dǎo)體基材表面，其中半導(dǎo)體基材多為硅基 材。個別的半導(dǎo)體基材表面上形成隔離結(jié)構(gòu)，而半導(dǎo)體元件藉由隔離結(jié)構(gòu)彼此隔離包括場氧化層及淺槽隔離(shallow trench isolation; STI )區(qū)。場氧化層通常利用區(qū)域硅氧化(local oxidation of silicon; LOCOS) 法形成。典型的形成工藝包括在硅基材上毯覆式形...
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