技術編號：6896133
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件，特別是涉及用于半導體器件的耐電壓 (以下記為「耐壓」)的穩(wěn)定化以及高耐壓化的^L術。背景技術一般在電力半導體器件中，需要高的耐壓保持能力，即，希望耐 壓的穩(wěn)定性提高以及高耐壓化。作為實現(xiàn)這一點的技術，已知場板和 保護環(huán)等以及把它們組合起來的構造(例如，專利文獻1)。另外， 還有在IGBT (絕緣柵型雙極晶體管)的柵-集之間，通過配置相互 反向連接的二極管(反向連接二極管)，防止在集-射之間施加過電 壓的技術(例如專利文獻2)。另外，還...
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