技術編號：6895580
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件制造技術，更具體涉及制造具有垂直溝道晶 體管的半導體器件的方法。背景技術隨著半導體器件變得高度集成，晶體管的溝道長度逐漸降低。但是， 晶體管的溝道長度的降低導致短溝道效應例如漏致勢壘降低(DIBL)現 象、熱栽流子效應和穿通效應。為了解決上述局限，已經提出各種方法， 例如減小結區(qū)深度的方法和通過形成凹陷來增加有效溝道長度的方法。但是，隨著半導體存儲器件的集成度增加，尤其是千兆位級動態(tài)隨 機存取存儲器(DRAM)，需要尺寸更小的晶體管。即...
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