技術(shù)編號：6895575
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化合物半導(dǎo)體外延襯底、化合物半導(dǎo)體器件及其制造方 法，并且更具體地，涉及一種化合物半導(dǎo)體外延襯底以及具有氮化物半導(dǎo)體 層的化合物半導(dǎo)體器件、及它們的制造方法。背景技術(shù)GaN具有3.4eV的寬的帶隙并且是一種期望用于短波長光發(fā)射和高擊穿 電壓操作的半導(dǎo)體。已經(jīng)開發(fā)出了用于紫外線和藍(lán)光的光發(fā)射器件。移動電 話的基站放大器需要高電壓操作。目前報道了將超過300V的值作為電流關(guān) 斷(current-off)期間的擊穿電壓。通過采用SiC襯底獲得最好的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。